Сифати баланд Gallium Metal 4N〜7N Обшавии пок
| Галлий металл | |
| Марҳила дар STP | сахт |
| Нуқтаи обшавӣ | 302,9146К(29,7646°C, 85,5763°F) |
| Нуқтаи ҷӯшон | 2673К (2400°C, 4352°F)[2] |
| Зичӣ (наздикии rt) | 5,91 г/см3 |
| вақте ки моеъ (дар mp) | 6,095 г/см3 |
| Гармии синтез | 5,59кҶ/мол |
| Гармии бухоршавӣ | 256кҶ/мол[2] |
| Иқтидори гармии молярӣ | 25,86J/(мол · К) |
Мушаххасоти баландсифати металлии Gallium
Покӣ: 4N 5N 6N 7N
Бастабандӣ: 25 кг / шиша пластикӣ, 20 шиша / картон.
Metal Gallium барои чӣ истифода мешавад?
Татбиқи нимноқилҳо талаботи асосӣ ба галлий мебошад ва барномаи навбатии асосӣ барои гранатҳои галлий гадолиниум мебошад.
6N галлиуми тозаи баланд барои хизмат ба саноати нимноқилҳо истифода мешавад.тақрибан 98% истеъмоли галлиум арсениди галлий (GaAs) ва нитриди галий (GaN) мебошад, ки дар ҷузъҳои электронии .Тақрибан 66% галлий нимноқилӣ дар микросхемаҳои интегралӣ (асосан арсениди галлий) истифода мешавад, масалан, барои истеҳсоли микросхемаҳои мантиқии ултра баландсуръат ва MESFETs барои пурзӯркунандаи пешакии микроволновка дар телефонҳои мобилӣ.
Галлий инчунин як ҷузъи пайвастагиҳои фотоэлектрикӣ мебошад (масалан, мис индий галий сулфиди селенӣ Cu(In,Ga)(Se,S)2), ки дар панелҳои офтобӣ ҳамчун алтернативаи камхарҷ ба кремнийи кристаллӣ истифода мешавад.
